دراین مقاله
تاثیر,
میدان,
مغناطیسی, حاصل از
برهمکنش, لیزر پرشدت فمتوثانیه ای با پلاسمای کم چگال در رژیم حبابی روی شتاب بسته الکترونی با توزیع یکنواخت گاوسی در سرعت و مکان مورد بررسی قرار گرفته است. دیده شد که میدان مغناطیسی می تواند انرژی نهایی بسته الکترونی را از حدود 1GeVبه حدود 1.2GeVافزایش دهد و پهن شدگی انرژی نهایی را کاهش دهد. همچنین واگرایی نهایی بسته الکترونی نیز در حدود یک مرتبه بزرگی کاهش یافته و برابر با 3-^10*0.38 میلی متر میلی رادیان شده است. علاوه براین، ما مشاهده کردیم میدان مغناطیسی باعث افزایش ده درصدی تعداد الکترونهای شتاب گرفته می شود.
برچسب:
نویسنده: مهندس نقوی
تاريخ: دوشنبه
19 آذر
1397 ساعت: 13:09